瑞萨RF

瑞萨RF混频器

Renesas的RF混频器系列产品采用Zero-Distortion™专利技术，极大地改善了接收机在所需信噪比(SNR)下能够承受的最大信号电平（IM3音）。这些器件可进行扩展，因此能够在各种模式下运行器件，从而显著降低功耗，同时仍然保持高线性度。与同类竞争混频器相比，能够将三阶互调(IM3)失真降低至多20dB(90%)；存在邻道干扰时提高未充分利用的频谱的覆盖率；通过最大程度降低对RF增益控制的需求，简化RF前端和软件设计。

瑞萨RF衰减器

Renesas可提供各种使用数字或模拟控制的单片硅RF衰减器。RF衰减器所适用的应用包括无线基础设施（基站、宽带基础设施(CATV)）、微波无线电、卫星和数据终端、通用通讯设备以及测试和测量设备。Renesas率先推出采用“Glitch-Free™”技术的数字步进衰减器(DSA)，使得客户能够简化其软件界面、提高可靠性、防止损坏功率放大器等昂贵的子组件，并限制数据转换器输入超出额定范围。

瑞萨可变增益放大器(VGA)

Renesas提供数控的中频(IF)和射频(RF)可变增益放大器(VGA)，这些放大器采用了FlatNoise™技术，当增益降低时其噪声不会恶化。Renesas的低噪声器件提高了服务质量(QoS)，降低了系统对数据转换器的信噪比(SNR)要求，从而降低了系统成本。一部分Renesas的数字电压增益放大器采用Glitch-Free专利技术，其目的是将其最高有效位(MSB)转变过程中产生的瞬时“毛刺”最大程度减少95%，来消除发送和/或接收链路中因衰减设置而引起的过冲（毛刺）。对于蜂窝基站和其他无线基础设施设备中的接收机和发射机而言，Renesas的IFVGA和RFVGA是理想选择。

瑞萨射频合成器

瑞萨电子提供具有超低相位噪声和低杂散的射频合成器，这可解决射频板设计中高性能混频器、调制器和解调器的频率生成难题。射频合成器还可用于直接为高速射频转换器(ADC/DAC)提供时钟参考。输出频率范围包含低MHz至18GHz。此类器件带有集成式压控振荡器(VCO)，并具有较大的调谐范围，可提供多频段本机振荡器(LO)频率合成，从而能够减少对多个窄带射频合成器的需要。这降低了物料费用和设计复杂性，同时也降低了开发射频产品的成本。

瑞萨射频开关

Renesas提供SPDT、SP4T和SP5T射频开关，这些交换机采用Kz恒定阻抗技术，具有极低的插入损耗和极高的输入IP3性能。高隔离交换机具有宽频率带宽和更大的工作温度范围，能够在应用中实现高可靠性。此外，Renesas的射频开关利用先进的RF硅半导体技术，与GaA等其他技术相比更具优势：具有较高的静电放电(ESD)抗扰性和MSL1潮湿敏感度等级，更加稳定；过温环境下保持出色的RF性能，且电流损耗较低；与GaA相比，具有更高的可靠性；与更简单的封装组件进行较高程度的集成，从而改善热性能并降低总成本。

瑞萨射频放大器

Renesas提供差分或单端输入阻抗的射频放大器，具备各种增益、噪声因数和线性功能。这款产品采用创新Zero-Distortion™技术，可实现低电流消耗的高输出IP3，明显优于单增益模块放大器。这款射频放大器还内置宽带阻抗平衡器，支持差异性输入和输出的宽带应用。这款产品专为高可靠性的操作而设计，结合使用了硅锗放大器模具和集成式无源器件(IPD)模具以及经验证的高容量QFN封装。

瑞萨晶体管阵列

瑞萨的晶体管阵列组合包括NPN、PNP和以我们互补的UHF-1SOI工艺为基础的NPN-PNP组合晶体管阵列。这些组合也包括适用于VHF/UHF放大器、VHF/UHF混频器、中频（IF）转换器和同步检波器的超高频晶体管阵列。双长尾对晶体管阵列和吉尔伯特单元UHF晶体管阵列也可用于无线通信系统、无线电和卫星通信系统以及高性能仪表。

瑞萨相控阵列波束成形器

瑞萨电子的相控阵有源波束成形IC能为5G、卫星通信和雷达应用提供经济高效的新一代系统解决方案。每个波束形成IC都包括多个独立控制的有源通道，满足电子扫描阵列天线(ESA)的元素级波形塑造要求。紧凑型IC提供平面BGA或QFN封装，能实现极小化相位阵列天线，元素间隔λ/2。IC提供仅发射(Tx)、仅接收(Rx)或发射/接收(T/R)等不同版本，覆盖所有常见的5GmmWave和卫星通信频带。

瑞萨调制器和解调器

Renesas推出了采用Zero-Distortion™和Glitch-Free™技术的引脚兼容IQ解调器产品，具有全球最低功耗和最低IM3失真，同时可使最高有效位(MSB)增益过渡期间的过冲振铃低于0.5dB。同样地，Renesas还推出了采用Zero-Distortion™技术的IQ调制器产品，具有极高的IP3和IP2性能，与其他同类竞争设备相比，可实现卓越的邻道泄漏比(ACLR)性能。