英飞凌功率mosfe

英飞凌Infineon功率mosfe应用

英飞凌MOSFET晶体管优势在于可大幅降低整体能耗。这将显著减少二氧化碳排放，因此在削减成本的同时，还能打造更为环保的系统和产品。英飞凌 CoolMOS™ 超结 MOSFET 型号齐全，适用于消费品、工业和汽车应用，如照明、电视、音频、服务器/电信、太阳能、电动车充电、DC-DC 转换器、车载充电器等。

20V-800V汽车级MOSFET

英飞凌的汽车合格OptiMOS产品组合™ 功率MOSFET和CoolMOS™ 超级结MOSFET提供从20V到800V的基准质量、多样化的封装和从R D（on）到0.35M的范围Ω.  通过使用英飞凌的汽车功率MOSFET等高质量组件，工程师和汽车制造商可以帮助将MOSFET相关故障降至最低。

N-通道功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ N 沟道功率MOSFET旨在提高效率、功率密度和成本效益。OptiMOS™ 产品专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色。适用于低、中、高功率应用的中低压 OptiMOS™ 和StrongIRFET™功率MOSFET以及适合多种应用的CoolMOS™高压功率MOSFET。N-通道功率MOSFET子类别：12V-40V N-沟道功率 MOSFET；45V-80V N-沟道功率 MOSFET；85V-300V N-沟道功率 MOSFET；500V-950V N-沟道功率 MOSFET。

P-通道功率MOSFET

英飞凌 P 沟道功率 MOSFET 型号丰富，适合包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、车载充电器、电机控制及低压驱动应用在内的诸多工业应用。P 沟道 MOSFET 采用空穴流作为载流子，其迁移率小于 N 沟道 MOSFET 中的电子流。就功能而言，二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 才能导通，而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压。

20V-250V P沟道和 20V-600V N沟道车规和非车规 MOSFET

英飞凌提供各种小信号 MOSFET。小信号产品非常适合存在空间限制的汽车和/或非汽车应用。几乎在所有应用中都能找到小信号产品，例如电池保护、电池充电、LED 照明、负载开关、DCDC 转换器、电平转换器和低压驱动等。

N-Channel Depletion Mode

英飞凌是全球少数能够提供 n 沟道耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。应用领域包括电源启动功率、过电压保护、浪涌电流限制器，离线电压基准。利用单个元件可以实现简单电流调节器。所有产品均适用于 汽车电子应用。为满足特殊要求，n 沟道耗尽型 MOSFET 可在卷轴上配备 VGS(th) 指示器。

N沟道和P沟道互补式MOSFET

英飞凌互补式功率 MOSFET 以高、低边配置将 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 集成至单个封装中。该双 MOSFET 系列采用 OptiMOS™ 和IR MOSFET™技术，可满当下应用的较高标准与性能需求。  此类 MOSFET 互补对不仅能提高设计效率，亦可简化产品结构。诸如 SO8、PQFN3x3 和 TSOP-6 等紧凑型封装均可用于此类 MOSFET，进而打造出成本优化型解决方案。其目标应用包括 DC-DC 转换、电机控制、电池管理以及车载充电器。

sic碳化硅mosfet

依托丰富经验和兼容性技术专长，英飞凌推出革命性的CoolSiC™ MOSFET技术，可助力实现全新的产品设计。相比传统的硅开关（如IGBT和MOSFET）而言，碳化硅（SiC）功率MOSFET具有一系列优势。1700 V、1200 V和650 V的CoolSiC™ MOSFET产品瞄准的应用包括光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动、UPS（不间断电源）、辅助电源和SMPS等。