安森美分立器件和功率模块

MOSFET

用于各种应用的广泛的低、中、高压和双MOSFET产品组合。

功率模块
先进的电源模块, 包括 IGBT, MOSFET, SiC, Si/SiC 混合模块, 二极管, SiC 二极管, 和智能功率模块 (IPM).
 

碳化硅 (SiC)
支持宽禁带电源设计的完整元器件生态系统，包括SiC二极管、SiC MOSFET和SiC模块。
 

保护MOSFET
各种低侧和高侧智能分立保护器件，提供同类最佳的浪涌电流管理。
 

整流器
标准和快恢复整流器，提供低功率损耗和高能效的理想性能特性。
 

肖特基二极管和肖特基整流器
低损耗和高电流肖特基整流器和二极管，非常适合用作整流器、逆变器和二极管。
 

音频晶体管
用于高功率音频电路应用的音频晶体管。
 

达林顿晶体管
用于通用放大器和低速开关应用的达林顿晶体管和晶体管对。
 

ESD保护二极管
专门设计用于提供 ESD 和浪涌保护的保护二极管和阵列。
 

通用的低VCE(sat)晶体管
宽广阵容的双极 NPN、PNP 和互补晶体管，包括低 VCE(sat) 晶体管。
 

数字晶体管(BRT)
集成偏置功能的偏置电阻晶体管（BRT），用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。
 

JFET
用于低噪声放大器和阻抗转换、模拟开关和斩波器应用的N沟道、P沟道和NPN极性JFET。
 

小信号开关二极管
高速、小信号开关二极管产品阵容，适用于不同应用的一般用途。
 

齐纳二极管
专为稳压电路设计，提供广泛的工作电压和额定功率。
 

RF晶体管
专为高频和通用放大器应用而设计的射频晶体管。
 

RF二极管
用于高频应用的射频二极管组合，包括PIN二极管、肖特基势垒二极管和可变电容。
 

毫米波集成电路（雷达)
单片微波集成电路（MMIC）射频放大器和混频器，提供平稳和高增益特性。
 

IGBT
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在高性能电源转换应用中提供最高可靠性。