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国巨保护元件

作者:建州电子 发布时间:2023-05-31 17:48点击:

国巨瞬态抑制二极管 (一般)

TVS(瞬态电压抑制管)对过电压峰值具有较快的响应速度。其动态内阻低,钳位性能好。YAGEO提供不同封装的TVS产品,工作电压范围为5 ~ 600V(甚至更高)。TVS主要适用于电子电路中数据传输线的单向或双向传输。SMAJ:型号: DO214AC;功率: 400W;反向截止电压: 5.0~440V;玻璃钝化结点;卓越的钳位性能 快速响应时间: 通常小于 1.0ps。

 

国巨瞬态抑制二极管 (车用)

TVS(瞬态电压抑制管)对过电压峰值具有较快的响应速度。其动态内阻低,钳位性能好。YAGEO提供不同封装的TVS产品,工作电压范围为5 ~ 600V(甚至更高)。TVS主要适用于电子电路中数据传输线的单向或双向传输。 SMAJ-AT 400W, 11~440V:型号: DO-214AC;功率: 400W;反向截止电压: 11~440V;玻璃钝化结点;卓越的钳位性能;快速响应时间: 通常小于 1.0ps。

 

国巨压敏电阻

金属氧化物压敏电阻(MOV)对过电压峰值响应速度快,具有良好的电涌能量吸收能力。其通常应用于交流电力线输入端的瞬态过载保护。 关于最新保护元件资讯请连系业务部门。KK07 7mm,180~560v:击穿电压: 180~560V;尺寸: 7mm;工作温度:-40℃ ~ +125℃;存储温度:-40℃ ~ +125℃;安全认证:UL、CSA、VDE。

 

国巨静电保护器件

ESD(静电保护元件)又称TVS阵列。具有良好的钳位性能和较低的电容(1pF以下),能满足高速数据接口应用的质量要求。YAGEO在ESD解决方案中为电容、外形结构和脉冲负载能力提供了很高的设计灵活性,可用于不同的应用需求。 Standard Capacitance:封装:SOT-23 SOT353 SOT-363 SOT23-6L SOIC-08 SOD-323 SOD-523 SOD-923;符合IEC61000-4-2 ESD, 15kV 空气, 8kV 直接接触;低漏电流 标准电容;功率: 50~500W。

 

国巨陶瓷气体放电管

GDT(陶瓷气体放电管)是一种很好的浪涌保护解决方案。GDT绝缘电阻高达1 GΩ以上,老化速度低、可靠性高。YAGEO提供不同封装类型的GDT,包括SMD和DIP类型等,双电极、三电极的GDT都可实现。B32:低电容(≤0.5 pf);尺寸:3216 (1206);直流击穿电压:150 - 470V;最大浪涌电流500A 8/20us;符合ITU-TK.21标准;4KV 10/700us;Micro-Gap设计。

 

国巨自恢复保险丝

PPTC(聚合正温系数热敏电阻)也称为可复位熔断器。其正常工作状态下电阻极低,对工作电路无影响。PPTC的响应速度从几十毫秒到几秒不等,与电流值成比例。根据不同的应用需求,YAGEO提供SMD(封装尺寸:0603 ~ 2920)和DIP封装类型的PPTC。

 

国巨强效放电管

SPG(强效放电管)具有较低的结电容(< 2pF),可以满足电信应用的质量要求。SPG比GDT具有更快的响应速度(GDT≤100nS, SPG≤1nS)。根据不同的应用需求,YAGEO提供SMD封装和DIP封装类型的SPG产品。响应时间< 1 ns BK1浪涌电流3000A 封装SMD 稳定性好,静电电容很小(<0.8pf),隔离性好(>100M) 按美国UL497A、UL1414和UL497B要求的标准保护 尺寸小。

 

国巨晶闸管

TSS(半导体放电管)具有快速的响应速度和良好的抗峰值过电压的箝位能力。低漏电流(mA~ 100μA)和结电容(10 ~ 100 pf)的特性可以满足数据传输和低功耗电路的质量要求。根据不同的应用需求,YAGEO提供SMD封装和DIP封装类型的TSS产品。 SOP-8:双线可编程瞬态电压抑制器 低动态开关电压 负点火电压范围宽:VMGL =-155V 低门触发电流:IGT =5mA max 维持电流:IH > 150 ma 封装:SOP-8。

 

国巨负温度系数热敏电阻

YAGEO的NTC(负温度系数热敏电阻)产品具有良好的热循环耐力,可提供高浪涌电流保护能力。YAGEO提供直径为5mm~25mm的NTC产品。直径:8mm~25mm 有效抑制浪涌 稳定状态下低功耗 过流控制范围宽,响应速度快 RoHS& 无卤素(HF)兼容 安全认证: UL: E482628。

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