开益禧MOSFETs

KEC开益禧高压MOSFET

High Voltage MOSFET产品拥有 Planar Process和Super Junior Process。SuperJunction MOSFET具有高电力密度、以Low Qg、Fast Switching的特性，不仅可实现System的低电力设计，还可实现Low EMI，可便于用户设计。具备可适用于各种电器的丰富产品 Line up和Package。

KEC开益禧低压MOSFET

Low Voltage MOSFET产品拥有常规的Trench Process和 Split Gate Trench Process。Split Gate Trench MOSFET不仅Low Qg, Low RDS(on), Fast Switching,Ruggedness特性更是它的优点。这种特性不仅支持System的小型化、低损耗设计，还支持稳定的设计。 使用不足200V的多种电压群和多种 PDFN类的Power SMD Packge，拥有可适用于各种电源、电动机等的多种系列。

KEC开益禧S-MOSFET

拥有Leadless type微型package (1006 size) Line-up的S-MOSFET产品群最适合小型设计的智能机器和家电及电装用小型模块，内置Zener diode，以高ESD耐量和低RDS(on)支持系统稳定性。适用于Level Shift、信号传达、Gate drive等，提供广发的包装系列。