意法碳化硅SiC器件

意法碳化硅（SiC）MOSFET

意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至1700 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。我们的STPOWER SiC MOSFET的主要特点包括：汽车级（AG）合格器件；超高温处理能力（max.TJ = 200 °C）；超高开关工作频率和极低开关损耗；低导通状态电阻；栅极驱动可兼容现有IC；稳定的超快速本体二极管。

意法碳化硅（SiC）二极管

ST 的碳化硅二极管产品系列电压范围从600到1200 V，包括单、双二极管。 它们有多种封装，从DPAK到TO-247以及绝缘的TO-220AB/AC，为设计者们提供了极大的灵活性，具有高效、稳定和快速投放市场等优势。 相比于硅，碳化硅有优越的物理属性，SiC肖特基整流器具有好于4倍的动态特性和降低15%的前向电压（VF）。